什么是电容效应_什么是电磁炮
华映科技申请一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法专利...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114343.4,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法好了吧!
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华映科技申请可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板专利,膜层结构少...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114469.1,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种可降低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其说完了。
华映科技申请一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及其制备方法”的专利,公开号CN202410114468.7,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种减少寄生电容效应的氧化物阵列结构及是什么。
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华映科技申请一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法...金融界2024年6月4日消息,天眼查知识产权信息显示,华映科技(集团)股份有限公司申请一项名为“一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其制备方法“公开号CN202410114416.X,申请日期为2024年1月。专利摘要显示,本发明提供一种具有低寄生电容效应的氧化物阵列基板及其还有呢?
南方路机获得发明专利授权:“一种基于电容边缘效应的含水率测量...证券之星消息,根据企查查数据显示南方路机(603280)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种基于电容边缘效应的含水率测量传感装置”,专利申请号为CN201811550747.9,授权日为2024年2月23日。专利摘要:本发明提供一种基于电容边缘效应的含水率测量传感装置,包括电容式测量等我继续说。
...存储申请半导体结构及其制备方法专利,减少相邻位线间的耦合电容效应与有源区之间。该半导体结构通过将位线设置为位于与有源区相交叠的第一部分以及位于相邻有源区之间的第二部分,并将位线第二部分的位线导电层设置为顶面低于位线第一部分的位线导电层的顶面,如此设置可以减少相邻位线相对的截面积,进而减少相邻位线间的耦合电容效应。
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...清除方法和装置专利,避免海缆线路的强电容效应导致故障点电弧重燃受端切换直流偏置输出量到零,送端和受端直流偏置控制器的输入输出量通过速率控制器限制,减少控制量突变在海缆等效电容上带来的影响,避免了海缆线路的强电容效应导致故障点电弧重燃,使故障清除策略失效的问题,解决了现有技术缺少可靠的海上风电送出线路直流故障主动清除说完了。
...其形成方法专利,减小半导体结构内栅电极与漏电极之间的寄生电容效应所述衬底的表面上;漏电极,位于所述衬底的背面上;隔离结构,位于所述外延层内,所述隔离结构背离所述衬底的表面与所述外延层背离所述衬底的表面平齐,且所述栅极结构在所述外延层上的正投影覆盖所述隔离结构。本发明减小了半导体结构内栅电极与漏电极之间的寄生电容效应。
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...半导体结构及其形成方法专利,降低了半导体结构内部的电容耦合效应沟槽,沟槽在基底的顶面上的投影为环形,且沟槽沿第一方向的底部暴露最顶层的导电互连层;导电接触层,连续覆盖沟槽的内壁和介质层的顶面,且导电接触层与最顶层的导电互连层电连接。本公开降低了半导体结构内部的电容耦合效应,实现了对所述半导体结构性能和制造良率的改进。
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...界面双层电容充电效应引起的电极界面电位远低于电源电压值的问题电源电路,以调整参数信息;脉冲换向电路,分别与正向电源电路和反向电源电路连接,使得正向电源与反向电源分别输入到脉冲换向电路进行正反脉冲处理,并输出高速双脉冲电源,解决了现有的直流电镀槽中电极界面双层电容充电效应引起的电极界面电位远低于电源电压值的技术问题。
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